RJK5030DPP-M0#T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK5030DPP-M0#T2概述

N沟道 500V 5A

通孔 N 通道 5A（Ta） 28.5W（Tc） TO-220FL

得捷:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL

立创商城:
N沟道 500V 5A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin3+Tab TO-220FL Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220

RJK5030DPP-M0#T2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 28.5W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 550pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 28.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK5030DPP-M0#T2

型号： RJK5030DPP-M0#T2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：N沟道 500V 5A