RJH60D1DPP-E0#T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJH60D1DPP-E0#T2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30000mW 3Pin3+Tab TO-220FP Tube

IGBT Trench 600V 20A 30W Through Hole TO-220FP

得捷:
RJH60D1 - INSULATED GATE BIPOLAR

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin TO-220FP Tube

RJH60D1DPP-E0#T2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 70 ns

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 15.87 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJH60D1DPP-E0#T2引脚图与封装图

在线购买RJH60D1DPP-E0#T2

型号： RJH60D1DPP-E0#T2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30000mW 3Pin3+Tab TO-220FP Tube