RJK0330DPB-01#J0

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RJK0330DPB-01#J0概述

RJK0330DPB 系列 N-沟道 30 V 2.7 mOhm 27 nC 开关 Mosfet - LFPAK-5

表面贴装型 N 通道 45A(Ta) 55W(Tc) LFPAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK


立创商城:
N沟道 30V 45A


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the RJK0330DPB-01#J0 power MOSFET from Renesas can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 55000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


富昌:
RJK0330DPB Series N-Channel 30 V 2.7 mOhm 27 nC Switching MosFet - LFPAK-5


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 45A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK


RJK0330DPB-01#J0中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 55 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 45A

上升时间 3.9 ns

输入电容Ciss 4300pF @10VVds

额定功率Max 55 W

下降时间 5.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 55W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK0330DPB-01#J0
型号: RJK0330DPB-01#J0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:RJK0330DPB 系列 N-沟道 30 V 2.7 mOhm 27 nC 开关 Mosfet - LFPAK-5

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