RJK1055DPB-00#J5概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V
表面贴装型 N 通道 23A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
得捷:
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
贸泽:
MOSFET Power MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 23A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
RJK1055DPB-00#J5中文资料参数规格
技术参数
针脚数 5
漏源极电阻 13 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 23A
上升时间 4.2 ns
输入电容Ciss 2550pF @10VVds
下降时间 6.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RJK1055DPB-00#J5引脚图与封装图 
在线购买RJK1055DPB-00#J5
型号： RJK1055DPB-00#J5
制造商：
Renesas Electronics
瑞萨电子
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V