RJK6012DPP-E0#T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK6012DPP-E0#T2概述

N 沟道 MOSFET，Renesas Electronics NEC### MOSFET 晶体管，Renesas Electronics NEC

通孔 N 通道 600 V 10A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP

得捷:
RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFET

欧时:
### N 沟道 MOSFET，Renesas Electronics NEC### MOSFET 晶体管，Renesas Electronics NEC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220

RJK6012DPP-E0#T2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 30W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10A

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJK6012DPP-E0#T2引脚图与封装图

在线购买RJK6012DPP-E0#T2

型号： RJK6012DPP-E0#T2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：N 沟道 MOSFET，Renesas Electronics NEC ### MOSFET 晶体管，Renesas Electronics NEC