RJH60V3BDPE-00#J3参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJH60V3BDPE-00#J3概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 113000mW 3Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R

IGBT 沟道表面贴装型 4-LDPAK

得捷:
IGBT 600V 35A 113W LDPAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R

RJH60V3BDPE-00#J3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 113000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 113 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 113000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-83

外形尺寸

高度 4.44 mm

封装 SC-83

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJH60V3BDPE-00#J3引脚图与封装图

在线购买RJH60V3BDPE-00#J3

型号： RJH60V3BDPE-00#J3

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 113000mW 3Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R