RJK1003DPN-E0#T2

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RJK1003DPN-E0#T2概述

TO-220AB N-CH 100V 50A

通孔 N 通道 100 V 50A(Ta) 125W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB


贸泽:
MOSFET Power MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin3+Tab TO-220AB Magazine


安富利:
POWER MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220


RJK1003DPN-E0#T2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 50A

输入电容Ciss 4150pF @10VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK1003DPN-E0#T2
型号: RJK1003DPN-E0#T2
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:TO-220AB N-CH 100V 50A

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