RJK6013DPP-E0#T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK6013DPP-E0#T2概述

TO-220FP N-CH 600V 11A

通孔 N 通道 11A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP

得捷:
RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube

安富利:
MOSFET

RJK6013DPP-E0#T2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 30W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 1450pF @25VVds

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK6013DPP-E0#T2

型号： RJK6013DPP-E0#T2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：TO-220FP N-CH 600V 11A