RJP60D0DPE-00#J3

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RJP60D0DPE-00#J3概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 122000mW 3Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R

IGBT - 表面贴装型 4-LDPAK


得捷:
IGBT 600V 45A 122W LDPAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3-Pin2+Tab LDPAKS-1


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 4-Pin LDPAKS-1 T/R


RJP60D0DPE-00#J3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 122000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 122 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 122000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SC-83

外形尺寸

封装 SC-83

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJP60D0DPE-00#J3引脚图与封装图
RJP60D0DPE-00#J3引脚图
RJP60D0DPE-00#J3封装图
RJP60D0DPE-00#J3封装焊盘图
在线购买RJP60D0DPE-00#J3
型号: RJP60D0DPE-00#J3
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 122000mW 3Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R

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