RJH60D3DPE-00#J3参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJH60D3DPE-00#J3概述

IGBT 晶体管 IGBT

IGBT 沟道 600 V 35 A 113 W 表面贴装型 LDPAK

得捷:
IGBT 600V 35A LDPAK

贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R

RJH60D3DPE-00#J3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 113000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 100 ns

额定功率Max 113 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 113000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-83

外形尺寸

封装 SC-83

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJH60D3DPE-00#J3引脚图与封装图

在线购买RJH60D3DPE-00#J3

型号： RJH60D3DPE-00#J3

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：IGBT 晶体管 IGBT