RJP6085DPN-00#T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJP6085DPN-00#T2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 178500mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

IGBT - 600 V 40 A 178.5 W 通孔 TO-220AB

得捷:
IGBT 600V 40A TO220AB

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

DeviceMart:
IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB

RJP6085DPN-00#T2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 178500 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 178.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 178500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJP6085DPN-00#T2引脚图与封装图

在线购买RJP6085DPN-00#T2

型号： RJP6085DPN-00#T2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 178500mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube