RJK6014DPP-E0#T2

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RJK6014DPP-E0#T2概述

N沟道 600V 16A

通孔 N 通道 600 V 16A(Ta) 35W(Tc) TO-220FP


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR


立创商城:
N沟道 600V 16A


贸泽:
MOSFET Power TRS, 600V/16A, TO-220FN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 16A TO220


RJK6014DPP-E0#T2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 35W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 16A

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK6014DPP-E0#T2
型号: RJK6014DPP-E0#T2
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:N沟道 600V 16A

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