RJP60D0DPK-00#T0

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RJP60D0DPK-00#T0概述

IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free

IGBT - 通孔 TO-3P


得捷:
IGBT 600V 45A 140W TO-3P


贸泽:
IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Chip1Stop:
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH SPEED POWER SWITCHING


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 140000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


DeviceMart:
IGBT 600V 45A 140W TO-3P


RJP60D0DPK-00#T0中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 140000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 140 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RJP60D0DPK-00#T0引脚图与封装图
RJP60D0DPK-00#T0引脚图
RJP60D0DPK-00#T0封装图
RJP60D0DPK-00#T0封装焊盘图
在线购买RJP60D0DPK-00#T0
型号: RJP60D0DPK-00#T0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free

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