RJK2006DPE-00#J3参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK2006DPE-00#J3概述

LDPAKS-1 N-CH 200V 40A

表面贴装型 N 通道 40A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK

得捷:
MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R

RJK2006DPE-00#J3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 40A

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LDPAK-4

外形尺寸

封装 LDPAK-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK2006DPE-00#J3

型号： RJK2006DPE-00#J3

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：LDPAKS-1 N-CH 200V 40A