RJK6018DPK-00#T0

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RJK6018DPK-00#T0概述

TO-3P N-CH 600V 30A

通孔 N 通道 30A(Ta) 200W(Tc) TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin TO-3P Tube


Chip1Stop:
MOSFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


RJK6018DPK-00#T0中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 200 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 88 ns

输入电容Ciss 4100pF @25VVds

下降时间 81 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJK6018DPK-00#T0引脚图与封装图
RJK6018DPK-00#T0引脚图
RJK6018DPK-00#T0封装图
RJK6018DPK-00#T0封装焊盘图
在线购买RJK6018DPK-00#T0
型号: RJK6018DPK-00#T0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:TO-3P N-CH 600V 30A

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