RJH1CF5RDPQ-80#T2

RJH1CF5RDPQ-80#T2图片1
RJH1CF5RDPQ-80#T2图片2
RJH1CF5RDPQ-80#T2图片3
RJH1CF5RDPQ-80#T2图片4
RJH1CF5RDPQ-80#T2概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192300mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 1200V 50A 192.3W Through Hole TO-247


得捷:
IGBT 1200V 50A 192.3W TO247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-247


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin TO-247A Tube


Chip1Stop:
SILICON N CHANNEL IGBTHIGH SPEED POWER SWITCHING


Win Source:
IGBT 1200V 50A 192.3W TO247


RJH1CF5RDPQ-80#T2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 192300 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 192.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 192300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJH1CF5RDPQ-80#T2引脚图与封装图
RJH1CF5RDPQ-80#T2引脚图
RJH1CF5RDPQ-80#T2封装图
RJH1CF5RDPQ-80#T2封装焊盘图
在线购买RJH1CF5RDPQ-80#T2
型号: RJH1CF5RDPQ-80#T2
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192300mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube
替代型号RJH1CF5RDPQ-80#T2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RJH1CF5RDPQ-80#T2

Renesas Electronics 瑞萨电子

当前型号

当前型号

IGW25N120H3

英飞凌

功能相似

RJH1CF5RDPQ-80#T2和IGW25N120H3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台