RJK5018DPK-00#T0参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK5018DPK-00#T0概述

TO-3P N-CH 500V 35A

通孔 N 通道 35A（Ta） 200W（Tc） TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 500V 35A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 35A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube

RJK5018DPK-00#T0中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 99 ns

输入电容Ciss 4100pF @25VVds

下降时间 93 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK5018DPK-00#T0

型号： RJK5018DPK-00#T0

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：TO-3P N-CH 500V 35A