RJH1BF6RDPQ-80#T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJH1BF6RDPQ-80#T2概述

Trans IGBT Chip N-CH 1100V 55A 227200mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 1100V 55A 227.2W Through Hole TO-247

得捷:
IGBT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.1KV 55A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT / IGBT 1100 V 55 A 227.2 W Through Hole TO-247

RJH1BF6RDPQ-80#T2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 227200 mW

击穿电压集电极-发射极 1100 V

额定功率Max 227.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 227200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21.13 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJH1BF6RDPQ-80#T2

型号： RJH1BF6RDPQ-80#T2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1100V 55A 227200mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube