RJH1CV6DPK-00#T0参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJH1CV6DPK-00#T0概述

IGBT 晶体管 IGBT

IGBT 沟道通孔 TO-3P

得捷:
IGBT 1200V 60A 290W TO-3P

贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube

DeviceMart:
IGBT 1200V 60A 290W TO-3P

RJH1CV6DPK-00#T0中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 290000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 180 ns

额定功率Max 290 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 290000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJH1CV6DPK-00#T0引脚图与封装图

在线购买RJH1CV6DPK-00#T0

型号： RJH1CV6DPK-00#T0

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：IGBT 晶体管 IGBT