RJH60D5BDPQ-E0#T2

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RJH60D5BDPQ-E0#T2概述

IGBT 晶体管 IGBT

IGBT 沟道 600 V 75 A 200 W 通孔 TO-247


得捷:
IGBT 600V 75A 200W TO-247


贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin TO-247 Tube


儒卓力:
**IGBT 600V 37A 1.6V TO247-3 **


DeviceMart:
IGBT 600V 75A 200W TO-247


RJH60D5BDPQ-E0#T2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RJH60D5BDPQ-E0#T2引脚图与封装图
RJH60D5BDPQ-E0#T2引脚图
RJH60D5BDPQ-E0#T2封装图
RJH60D5BDPQ-E0#T2封装焊盘图
在线购买RJH60D5BDPQ-E0#T2
型号: RJH60D5BDPQ-E0#T2
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IGBT 晶体管 IGBT

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