RJH1CF7RDPQ-80#T2概述
IGBT 分立，Renesas Electronics### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 1200V 60A 250W Through Hole TO-247-3
得捷:
IGBT 1200V 60A 250W TO247
欧时:
IGBT 分立，Renesas Electronics### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
艾睿:
Trans IGBT Chip 1.2KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip 1200V 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
RJH1CF7RDPQ-80#T2中文资料参数规格
RJH1CF7RDPQ-80#T2引脚图与封装图 
在线购买RJH1CF7RDPQ-80#T2
型号： RJH1CF7RDPQ-80#T2
制造商：
Renesas Electronics
瑞萨电子
描述：IGBT 分立，Renesas Electronics ### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。