RJK0601DPN-E0#T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK0601DPN-E0#T2概述

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3Pin3+Tab TO-220AB Magazine

N-Channel 60V 110A Ta 200W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 60V 110A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 110A TO220

RJK0601DPN-E0#T2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 10000pF @10VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK0601DPN-E0#T2

型号： RJK0601DPN-E0#T2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3Pin3+Tab TO-220AB Magazine