Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 41200mW 3Pin3+Tab TO-3PFM Tube
IGBT 沟道 通孔 TO-3PFM
得捷: IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-3PFM Tube
DeviceMart: IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
耗散功率 41200 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 41.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 41200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册