RJK6015DPM-00#T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK6015DPM-00#T1概述

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3Pin3+Tab TO-3PFM Tube

通孔 N 通道 21A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM

得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-3PFM Tube

安富利:
POWER MOSFET

儒卓力:
**N-CH 600V 21A 315mOhm TO-3PFM **

RJK6015DPM-00#T1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 2600pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RJK6015DPM-00#T1引脚图与封装图

在线购买RJK6015DPM-00#T1

型号： RJK6015DPM-00#T1

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3Pin3+Tab TO-3PFM Tube