RJH1CV7DPQ-E0#T2

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RJH1CV7DPQ-E0#T2概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 320000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-247


得捷:
RJH1CV7DPQ - IGBT 1200V 70A


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


RJH1CV7DPQ-E0#T2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 320000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 200 ns

额定功率Max 320 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 320000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJH1CV7DPQ-E0#T2引脚图与封装图
RJH1CV7DPQ-E0#T2引脚图
RJH1CV7DPQ-E0#T2封装图
RJH1CV7DPQ-E0#T2封装焊盘图
在线购买RJH1CV7DPQ-E0#T2
型号: RJH1CV7DPQ-E0#T2
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 320000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube
替代型号RJH1CV7DPQ-E0#T2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RJH1CV7DPQ-E0#T2

Renesas Electronics 瑞萨电子

当前型号

当前型号

IKW40N120T2

英飞凌

功能相似

RJH1CV7DPQ-E0#T2和IKW40N120T2的区别

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