RSB5.6SMT2N

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RSB5.6SMT2N概述

ESD保护二极管

ESD 保护双向齐纳,ROHM

高可靠性


得捷:
TVS DIODE 2.5VWM EMD2


欧时:
ESD 保护二极管 ROHM RSB5.6SMT2N 双向, 10W, 2针 SOD-523封装


贸泽:
Zener Diodes


艾睿:
ESD Suppressor Zener Automotive 2-Pin EMD T/R


安富利:
ESD Suppressor Zener 2-Pin EMD T/R


Verical:
ESD Suppressor Zener Bi-Dir 2.5V 2-Pin EMD T/R


力源芯城:
双向ESD保护二极管


Win Source:
TVS DIODE 2.5VWM EMD2


RSB5.6SMT2N中文资料参数规格
技术参数

电容 50 pF

耗散功率 150 mW

测试电流 1 mA

稳压值 6.44 V

脉冲峰值功率 10 W

最小反向击穿电压 4.76 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-523

外形尺寸

长度 1.2 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.6 mm

封装 SOD-523

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RSB5.6SMT2N引脚图与封装图
RSB5.6SMT2N引脚图
RSB5.6SMT2N封装图
RSB5.6SMT2N封装焊盘图
在线购买RSB5.6SMT2N
型号: RSB5.6SMT2N
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ESD保护二极管
替代型号RSB5.6SMT2N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSB5.6SMT2N

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RSB5.6STE61

罗姆半导体

功能相似

RSB5.6SMT2N和RSB5.6STE61的区别

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