RSB6.8GT2R

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RSB6.8GT2R概述

ESD 保护器,ROHM### Transient Voltage Suppressors, ROHM

ESD 保护双向齐纳,ROHM

高可靠性


得捷:
TVS DIODE 3.5VWM VMD2


欧时:
### ESD 保护双向齐纳二极管,ROHM高可靠性 ### 瞬态电压抑制器,ROHM


安富利:
ESD Suppressor TVS 2-Pin VMD T/R


富昌:
RSB 系列 100 mW 6.88 V 双向 表面贴装 ESD 保护 二极管 - VMD-2


Win Source:
TVS DIODE 3.5VWM VMD2


RSB6.8GT2R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.80 V

电容 15 pF

额定功率 100 mW

击穿电压 5.78 V

通道数 1

耗散功率 100 mW

测试电流 1 mA

稳压值 6.8 V

脉冲峰值功率 10 W

最小反向击穿电压 5.78 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMD-2

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.5 mm

封装 SMD-2

厚度 130 µm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

RSB6.8GT2R引脚图与封装图
RSB6.8GT2R引脚图
RSB6.8GT2R封装图
RSB6.8GT2R封装焊盘图
在线购买RSB6.8GT2R
型号: RSB6.8GT2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ESD 保护器,ROHM ### Transient Voltage Suppressors, ROHM
替代型号RSB6.8GT2R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSB6.8GT2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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RSB6.8CST2R

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RSB6.8GT2R和RSB6.8CST2R的区别

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