肖特基二极管 Schottky Barrier Diode
反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 600mV/0.6V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Extremely Fast Switching Speed • Extremely Low Forward Voltage 0.6 V max @ IF = 200 mA • Low Reverse Current 描述与应用| •极快的开关速度 •极低的正向电压0.6 V（最大值）@ IF= 200毫安 •低反向电流
得捷:
DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOD523
贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 200mW Single
艾睿:
Diode Schottky 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R
额定电压DC 30.0 V
额定电流 200 mA
输出电流 ≤200 mA
正向电压 600mV @200mA
极性 Standard
正向电流 0.2 A
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.6 mm
封装 SOD-523
工作温度 55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RB520S30T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
RB520S30T1G 安森美 | 类似代替 | RB520S30T1和RB520S30T1G的区别 |
RB520S-30 罗姆半导体 | 类似代替 | RB520S30T1和RB520S-30的区别 |
RB520S-30TE61 罗姆半导体 | 功能相似 | RB520S30T1和RB520S-30TE61的区别 |