RFP50N05L参数规格_中文资料_数据手册PDF

RFP50N05L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 50.0 A

漏源极电阻 22.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 110W Tc

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 50.0 V

栅源击穿电压 ±10.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买RFP50N05L

型号： RFP50N05L

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：50A ， 50V ， 0.022欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

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替代型号RFP50N05L

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RFP50N05L Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
STP55NE06L 意法半导体	功能相似	RFP50N05L和STP55NE06L的区别
BUK556-60H 恩智浦	功能相似	RFP50N05L和BUK556-60H的区别

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RFP50N05L和STP55NE06L的区别

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