RFG70N06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 70.0 A
漏源极电阻 14.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买RFG70N06
型号： RFG70N06
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：70A ， 60V ，额定雪崩， N沟道增强型功率MOSFET 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
替代型号RFG70N06
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|---|---|---|
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