RFP3055LE

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RFP3055LE中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 11.0 A

漏源极电阻 107 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 38W Tc

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 38 W

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买RFP3055LE
型号: RFP3055LE
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:11A , 60V , 0.107欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
替代型号RFP3055LE
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Fairchild 飞兆/仙童

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