RFP45N06参数规格_中文资料_数据手册PDF

RFP45N06概述

45A ， 60V ，额定雪崩N沟道增强型功率MOSFET 45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

N-Channel 60V 45A Tc 131W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3

立创商城:
N沟道 60V 45A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 45A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Win Source:
45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

RFP45N06中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 45.0 A

漏源极电阻 28.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 131W Tc

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 45.0 A

输入电容Ciss 2050pF @25VVds

额定功率Max 131 W

耗散功率Max 131W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买RFP45N06

型号： RFP45N06

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：45A ， 60V ，额定雪崩N沟道增强型功率MOSFET 45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

替代型号RFP45N06