RFP22N10参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RFP22N10中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 22.0 A

漏源极电阻 80.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买RFP22N10

型号： RFP22N10

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：22A ， 100V ， 0.080 Ohm的N通道功率MOSFET 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

替代型号RFP22N10

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RFP22N10 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
STD70N10F4 意法半导体	功能相似	RFP22N10和STD70N10F4的区别
NTB6411ANT4G 安森美	功能相似	RFP22N10和NTB6411ANT4G的区别
NTB52N10G 安森美	功能相似	RFP22N10和NTB52N10G的区别