N沟道 60V 4A
N-Channel 60V 4A Tc 30W Tc Surface Mount TO-252AA
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N沟道 60V 4A
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MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
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MOSFET 60V Single
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定电压DC 60.0 V
额定电流 4.00 A
通道数 1
漏源极电阻 600 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±10.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 130 ns
额定功率Max 30 W
下降时间 160 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RFD4N06LSM9A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
RFD4N06LSM 英特矽尔 | 功能相似 | RFD4N06LSM9A和RFD4N06LSM的区别 |