RB215T-60参数规格_中文资料_数据手册PDF

RB215T-60概述

肖特基二极管 Schottky barrier diode

阵列 1 对共阴极肖特基 10A 通孔 TO-220-3 整包

得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220FN

立创商城:
60V 10A 580mV@10A

艾睿:
Diode Schottky 60V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FN Bulk

Chip1Stop:
Diode Schottky 60V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FN

Verical:
Diode Schottky 60V 20A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FN Bulk

RB215T-60中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 20.0 A

正向电压 580 mV

正向电流 20000 mA

正向电压Max 580mV @10A

正向电流Max 20000 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RB215T-60

型号： RB215T-60

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：肖特基二极管 Schottky barrier diode

替代型号RB215T-60

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RB215T-60 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DPG20C400PB IXYS Semiconductor	功能相似	RB215T-60和DPG20C400PB的区别
DSA20C150PB IXYS Semiconductor	功能相似	RB215T-60和DSA20C150PB的区别
DSEC16-12A IXYS Semiconductor	功能相似	RB215T-60和DSEC16-12A的区别