RFN10T2D参数规格_中文资料_数据手册PDF

RFN10T2D概述

超快速恢复二极管 Super Fast Recovery Diode

阵列 1 对共阴极标准 5A 通孔 TO-220-3 整包

得捷:
DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

贸泽:
Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V Vrm 10A Io Recovery Diode

艾睿:
Diode Switching 200V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FN Bulk

Chip1Stop:
Diode Switching 200V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FN

Verical:
Diode Switching 200V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FN Bulk

RFN10T2D中文资料参数规格

技术参数

正向电压 0.98 V

反向恢复时间 25 ns

最大反向电压（Vrrm） 200V

正向电流 5 A

最大反向漏电流（Ir） 0.01mA

正向电流Max 10000 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220F-3

外形尺寸

封装 TO-220F-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

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型号： RFN10T2D

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：超快速恢复二极管 Super Fast Recovery Diode