R1LV0108ESP-7SI#B0

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R1LV0108ESP-7SI#B0概述

SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)

低功率 SRAM,R1LV 系列,

R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 2.7V 至 3.6V 电源

小待机电流

无时钟、无需刷新

所有输入和输出均兼容 TTL

三态输出:OR-tie 能力

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 1MBIT 70NS 32SOP


欧时:
### 低功率 SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 70ns 32-Pin SOP Tube


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 70ns 32-Pin SOP Tube


Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-bit 128K x 8 70ns 32-Pin SOP Tube


R1LV0108ESP-7SI#B0中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 32

封装 SOP-32

外形尺寸

长度 20.95 mm

宽度 11.5 mm

高度 2.75 mm

封装 SOP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 3A991

数据手册

在线购买R1LV0108ESP-7SI#B0
型号: R1LV0108ESP-7SI#B0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:SRAM,R1LV 系列,Renesas Electronics R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。 单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)

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