RMLV0408EGSB-4S2#AA0

低功率 SRAM，RMLV 系列，Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间：45ns（最大值） 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出，带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM（静态随机存取存储器）

低功率 SRAM，RMLV 系列，

RMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。

单 2.7V 至 3.6V 电源

存取时间：45ns（最大值）

相等存取和循环时间

常见数据输入和输出，带三态输出

所有输入和输出均兼容 TTL

适合于电池备份操作

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II

欧时:
Renesas Electronics RMLV0408EGSB-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin TSOP-II Tray

安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512KWord x 8 45ns 32-Pin TSOP Tray

Verical:
SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin TSOP-II Tray

儒卓力:
**SRAM 512Kx8 45ns TSOP32 **