RENESAS R1LV0408DSB-5SI#B0 芯片, 存储器, SRAM, 4Mb, 3V, 55NS, 32TSOP
低功率 SRAM,R1LV 系列,
R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。
单 2.7V 至 3.6V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
三态输出:OR-tie 能力
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
欧时:
Renesas Electronics R1LV0408DSB-5SI#B0, 4Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 2.7 → 3.6 V, 32针 TSOP封装
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 32-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 32-Pin TSOP-II
Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-bit 512K x 8 55ns 32-Pin TSOP-II
儒卓力:
**SRAM 512Kx8 55ns TSOP32 **
Win Source:
IC SRAM 4MBIT 55NS 32TSOP
供电电流 10 mA
针脚数 32
位数 8
存取时间 55 ns
内存容量 500000 B
存取时间Max 55 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 TSOP-32
长度 21.05 mm
宽度 10.26 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-32
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2017/01/12
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
R1LV0408DSB-5SI#B0 Renesas Electronics 瑞萨电子 | 当前型号 | 当前型号 |
RMLV0408EGSB-4S2#AA0 瑞萨电子 | 类似代替 | R1LV0408DSB-5SI#B0和RMLV0408EGSB-4S2#AA0的区别 |
BS62LV4006EIP55 BSI | 功能相似 | R1LV0408DSB-5SI#B0和BS62LV4006EIP55的区别 |