R1LP5256ESA-5SI#B0

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R1LP5256ESA-5SI#B0概述

SRAM,R1LP 系列,Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)

低功率 SRAM,R1LP 系列,

R1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 4.5V 至 5.5V 电源

小待机电流

无时钟、无需刷新

所有输入和输出均兼容 TTL

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I


欧时:
Renesas Electronics R1LP5256ESA-5SI#B0, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装


艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP-I Tray


安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP-I Tray


富昌:
R1LP5256E 系列 256 Kb 32 K x 8 5 V 55 ns 高级 SRAM - TSOP-28


Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP-I Tray


Win Source:
IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP


R1LP5256ESA-5SI#B0中文资料参数规格
技术参数

供电电流 35 mA

时钟频率 1 MHz

位数 8

存取时间 55 ns

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 TSOP-28

外形尺寸

长度 11.9 mm

宽度 8.1 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

R1LP5256ESA-5SI#B0引脚图与封装图
R1LP5256ESA-5SI#B0引脚图
R1LP5256ESA-5SI#B0封装图
R1LP5256ESA-5SI#B0封装焊盘图
在线购买R1LP5256ESA-5SI#B0
型号: R1LP5256ESA-5SI#B0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:SRAM,R1LP 系列,Renesas Electronics R1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。 单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)
替代型号R1LP5256ESA-5SI#B0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

R1LP5256ESA-5SI#B0

Renesas Electronics 瑞萨电子

当前型号

当前型号

R1LP5256ESA-5SI#B1

瑞萨电子

完全替代

R1LP5256ESA-5SI#B0和R1LP5256ESA-5SI#B1的区别

R1LP5256ESA-5SI#S1

瑞萨电子

完全替代

R1LP5256ESA-5SI#B0和R1LP5256ESA-5SI#S1的区别

R1LP5256ESA-5SI#S0

瑞萨电子

完全替代

R1LP5256ESA-5SI#B0和R1LP5256ESA-5SI#S0的区别

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