SRAM,R1LP 系列,Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)
低功率 SRAM,R1LP 系列,
R1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。
单 4.5V 至 5.5V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
### SRAM(静态随机存取存储器)
得捷:
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
欧时:
Renesas Electronics R1LP5256ESA-5SI#B0, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装
艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP-I Tray
安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP-I Tray
富昌:
R1LP5256E 系列 256 Kb 32 K x 8 5 V 55 ns 高级 SRAM - TSOP-28
Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP-I Tray
Win Source:
IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
R1LP5256ESA-5SI#B0 Renesas Electronics 瑞萨电子 | 当前型号 | 当前型号 |
R1LP5256ESA-5SI#B1 瑞萨电子 | 完全替代 | R1LP5256ESA-5SI#B0和R1LP5256ESA-5SI#B1的区别 |
R1LP5256ESA-5SI#S1 瑞萨电子 | 完全替代 | R1LP5256ESA-5SI#B0和R1LP5256ESA-5SI#S1的区别 |
R1LP5256ESA-5SI#S0 瑞萨电子 | 完全替代 | R1LP5256ESA-5SI#B0和R1LP5256ESA-5SI#S0的区别 |