R1LV0108ESF-5SI#B0

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R1LV0108ESF-5SI#B0概述

R1LV0108E 系列 1 Mb 128 K x 8 3 V 55 ns 高级 SRAM - TSOP-32

SRAM 存储器 IC 1Mb(128K x 8) 并联 32-TSOP(8x20)


得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin TSOP-I Tray


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin TSOP-I Tray


富昌:
R1LV0108E 系列 1 Mb 128 K x 8 3 V 55 ns 高级 SRAM - TSOP-32


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin TSOP-I Tray


R1LV0108ESF-5SI#B0中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 32

封装 TSOP-32

外形尺寸

封装 TSOP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R1LV0108ESF-5SI#B0引脚图与封装图
R1LV0108ESF-5SI#B0引脚图
R1LV0108ESF-5SI#B0封装图
R1LV0108ESF-5SI#B0封装焊盘图
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型号: R1LV0108ESF-5SI#B0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:R1LV0108E 系列 1 Mb 128 K x 8 3 V 55 ns 高级 SRAM - TSOP-32

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