R1LV5256ESA-5SI#B0

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R1LV5256ESA-5SI#B0概述

R1LV5256E 系列 256 Kb 32 K x 8 3 V 55 ns 高级 LPSRAM - TSOP-28

SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 55ns 28-TSOP


得捷:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 256K-bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP-I Tray


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 256K-Bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP Tray


富昌:
R1LV5256E 系列 256 Kb 32 K x 8 3 V 55 ns 高级 LPSRAM - TSOP-28


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 256K-Bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP Tray


R1LV5256ESA-5SI#B0中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 TSOP-28

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买R1LV5256ESA-5SI#B0
型号: R1LV5256ESA-5SI#B0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:R1LV5256E 系列 256 Kb 32 K x 8 3 V 55 ns 高级 LPSRAM - TSOP-28
替代型号R1LV5256ESA-5SI#B0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

R1LV5256ESA-5SI#B0

Renesas Electronics 瑞萨电子

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当前型号

R1LV5256ESA-5SI#B1

瑞萨电子

完全替代

R1LV5256ESA-5SI#B0和R1LV5256ESA-5SI#B1的区别

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