R1LP0108ESN-5SI#S0

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R1LP0108ESN-5SI#S0概述

静态随机存取存储器 1Mb 5V Adv. 静态随机存取存储器 x8, SOP, 55NS, T+R

SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 55ns 32-SOP


得捷:
IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP


贸泽:
静态随机存取存储器 1Mb 5V Adv. 静态随机存取存储器 x8, SOP, 55NS, T+R


艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin SOP T/R


安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128KWord x 8 55ns 32-Pin SOP Embossed T/R


Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin SOP T/R


儒卓力:
**SRAM 128Kx8 55ns SOP32 **


R1LP0108ESN-5SI#S0中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 55 ns

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

引脚数 32

封装 SOP-32

外形尺寸

封装 SOP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

R1LP0108ESN-5SI#S0引脚图与封装图
R1LP0108ESN-5SI#S0引脚图
R1LP0108ESN-5SI#S0封装图
R1LP0108ESN-5SI#S0封装焊盘图
在线购买R1LP0108ESN-5SI#S0
型号: R1LP0108ESN-5SI#S0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:静态随机存取存储器 1Mb 5V Adv. 静态随机存取存储器 x8, SOP, 55NS, T+R
替代型号R1LP0108ESN-5SI#S0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

R1LP0108ESN-5SI#S0

Renesas Electronics 瑞萨电子

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完全替代

R1LP0108ESN-5SI#S0和R1LP0108ESN-5SI#B0的区别

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