R1LP0408DSB-7SI#B0

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R1LP0408DSB-7SI#B0概述

SRAM,R1LP 系列,Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)

低功率 SRAM,R1LP 系列,

R1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 4.5V 至 5.5V 电源

小待机电流

无时钟、无需刷新

所有输入和输出均兼容 TTL


欧时:
### 低功率 SRAM,R1LP 系列,Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 4MBIT 70NS 32TSOP


艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 512K x 8 70ns 32-Pin TSOP-II Tray


R1LP0408DSB-7SI#B0中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 32

封装 TSOP

外形尺寸

长度 21.05 mm

宽度 10.26 mm

高度 1 mm

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买R1LP0408DSB-7SI#B0
型号: R1LP0408DSB-7SI#B0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:SRAM,R1LP 系列,Renesas Electronics R1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。 单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)

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