SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）
低功率 SRAM，R1LV 系列，
R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。
单 2.7V 至 3.6V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
三态输出：OR-tie 能力
得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
欧时:
### 低功率 SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）
贸泽:
静态随机存取存储器 8MB ADV.静态随机存取存储器 x8 55NS TSOP I-TEMP 3V
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 1M x 8 55ns 44-Pin TSOP-II Tray
安富利:
SRAM Async Single 3V 8M-Bit 1K x 8 55ns 44-Pin TSOP Tray
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 1M x 8 55ns 44-Pin TSOP-II Tray
Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 1M x 8 55ns 44-Pin TSOP-II Tray
儒卓力:
**SRAM 1Mx8 55ns TSOP44 **
