RENESAS R1LV1616RSA-5SI#B0 芯片, 存储器, SRAM, 16Mb, 3V, 55NS, 48TSOP
低功率 SRAM,R1LV 系列,
R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。
单 2.7V 至 3.6V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
三态输出:OR-tie 能力
得捷:
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
欧时:
低功率 SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力### SRAM(静态随机存取存储器)
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin TSOP-I
安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin TSOP-I
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 70ns 52-Pin TSOP-II Tray
儒卓力:
**SRAM 1Mx16 55ns TSOP48 adv. **
Win Source:
IC SRAM 16MBIT 55NS 48TSOP
电源电压DC 2.70V min
针脚数 48
位数 8, 16
存取时间 55 ns
内存容量 2000000 B
存取时间Max 55 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TSOP-48
长度 18.5 mm
宽度 12.1 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99