R1LV3216RSD-5SI#B0

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R1LV3216RSD-5SI#B0概述

SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)

低功率 SRAM,R1LV 系列,

R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 2.7V 至 3.6V 电源

小待机电流

无时钟、无需刷新

所有输入和输出均兼容 TTL

三态输出:OR-tie 能力

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 32MBIT PAR 52TSOP II


欧时:
### 低功率 SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)


贸泽:
静态随机存取存储器 32M Adv LP静态随机存取存储器, Monochip, uTSOP, Pb-Free


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 32M-Bit 4M/2M x 8/16-Bit 55ns 52-Pin TSOP-II Tray


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 32M-Bit 4M/2M x 8/16-Bit 55ns 52-Pin TSOP-II Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 32M-Bit 4M/2M x 8/16-Bit 55ns 52-Pin TSOP-II Tray


儒卓力:
**SRAM 4Mx8/2Mx16 55ns µTSOP52 **


R1LV3216RSD-5SI#B0中文资料参数规格
技术参数

位数 8, 16

存取时间 55 ns

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 52

封装 TSOP-52

外形尺寸

长度 10.89 mm

宽度 8.99 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-52

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

R1LV3216RSD-5SI#B0引脚图与封装图
R1LV3216RSD-5SI#B0引脚图
R1LV3216RSD-5SI#B0封装图
R1LV3216RSD-5SI#B0封装焊盘图
在线购买R1LV3216RSD-5SI#B0
型号: R1LV3216RSD-5SI#B0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:SRAM,R1LV 系列,Renesas Electronics R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。 单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)
替代型号R1LV3216RSD-5SI#B0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

R1LV3216RSD-5SI#B0

Renesas Electronics 瑞萨电子

当前型号

当前型号

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