RB521G-30T2R

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RB521G-30T2R概述

900mA,ROHM

肖特基势垒,高达 900mA,ROHM

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30V 100mA 350mV@10mA


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DIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMD2


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ROHM 二极管 RB521G-30T2R 肖特基, Io=100mA, Vrev=30V, 2引脚 VMD封装


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小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 100 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C


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Diode Small Signal Schottky 0.1A 2-Pin VMD T/R


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RB521G-30 系列 30 V 10 uA 表面贴装 肖特基 势垒 二极管 - VMD-2


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DIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMD2


RB521G-30T2R中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

正向电压 350mV @10mA

正向电流 100 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 500 mA

正向电压Max 350 mV

正向电流Max 100 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温 125℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 VMD-2

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.5 mm

封装 VMD-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

RB521G-30T2R引脚图与封装图
RB521G-30T2R引脚图
RB521G-30T2R封装图
RB521G-30T2R封装焊盘图
在线购买RB521G-30T2R
型号: RB521G-30T2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:900mA,ROHM
替代型号RB521G-30T2R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RB521G-30T2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DAN217T146

罗姆半导体

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