RR2L6SDDTE25

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RR2L6SDDTE25概述

标准恢复二极管, AEC-Q101, 600 V, 2 A, 单, 1.1 V, 50 A

标准 600 V 2A 表面贴装型 PMDS


得捷:
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS


e络盟:
标准恢复二极管, AEC-Q101, 600 V, 2 A, 单, 1.1 V, 50 A


Win Source:
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS / Diode Standard 600 V 2A Surface Mount PMDS


RR2L6SDDTE25中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

正向电压 1.1V @2A

正向电流 2 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 50 A

正向电压Max 1.1 V

工作温度Max 150 ℃

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Not For New Designs

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买RR2L6SDDTE25
型号: RR2L6SDDTE25
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:标准恢复二极管, AEC-Q101, 600 V, 2 A, 单, 1.1 V, 50 A
替代型号RR2L6SDDTE25
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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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