容差 ±1 %
额定功率 125 mW
电阻 100 kΩ
阻值偏差 ±1 %
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 200 V
安装方式 Through Hole
封装 Axial Leaded
长度 7.06 mm
温度系数 ±50 ppm/℃
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
数据手册
RN55C1003FB14
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
RN55C1003BB14
威世
类似代替
RN55C1003F
International Resistive
功能相似